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券中社5月12日讯，东微半导在投资者关系活动记录表中称，公司第三代高压超级结MOSFET已实现了大规模出货。公司持续拓展基于第三代高压超级结MOSFET技术平台的产品规格，单晶圆产出芯片颗数提高，同时产品性能得到进一步提升。公司第四代高压超级结MOSFET实现批量出货，同时，公司第五代超级结MOSFET技术研发进展顺利，已经进入批量验证阶段。
关键词：
东微半导：公司第五代超级结MOSFET技术研发进展顺利，已经进入批量验证阶段
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